IRF540Nは、InternationalRectifierの高度なHEXFETNチャネルパワーMOSFETです。このデバイスは、電流、電圧スイッチング機能を備えた非常に用途が広いため、多くの電子アプリケーションに最適です。
デバイスのデータシートとピン配置の詳細については、次の記事で説明しています。
主な特徴：
- 洗練された最先端の加工技術を採用。
- 負荷経路全体の抵抗が非常に低い。柔軟なdv / dtプロット。
- 最高175℃の動作温度許容容量。
- 非常に高速なスイッチング機能。
- アバランシェまたはピークサージ電流に対して完全に耐性があります。
ピン配置画像
IRF540Nの最大許容限界）は以下のように記載されています。
私 D = 10Vで最大33アンペア（VGS）、これは、負荷を介して、ドレインからソースまでのデバイスの最大電流処理容量であり、ゲート電圧は10Vで、常温（25〜35℃）です。
私 DM =最大110アンペア、これは、パルスモード（連続ではない）で、負荷を介してドレインからソースまでのデバイスの最大電流処理容量です。
PD =最大130ワット、FETが放散できる最大電力と無限の（冷却）ヒートシンク
V GS = 10ボルト標準+/- 20％。これは、最適なパフォーマンスを得るためにゲートとソースの間に印加できる最大トリガー電圧です。
V（BR）DSS = 100ボルト、これはドレインからデバイスのソースに印加できる最大電圧です。
アプリケーション分野
このデバイスは、大電流SMPS電源、コンパクトフェライトインバータ回路、鉄心インバータ回路、バックおよびブーストコンバータ、パワーアンプ、モーター速度コントローラ、ロボット工学などの高電力DCスイッチングアプリケーションに最適です。
IRF540NMOSFETの接続方法
これは非常に単純であり、次の点で説明されているように実行する必要があります。
ソースは、グランドまたは電源のマイナスラインに接続することが望ましいです。
ドレインは、デバイスで操作する必要のある負荷を介して電源の正端子に接続する必要があります。
最後に、デバイスのトリガーリードであるゲートを回路のトリガーポイントに接続する必要があります。このトリガー入力は、CMOSロジックソースからの+ 5V電源であることが望ましいです。
トリガー入力がロジックソースでない場合は、ゲートが高い値の抵抗を介してグランドに永続的に接続されていることを確認してください。
“シャントモーターとは ”
デバイスが変圧器やモーターなどの誘導性負荷のスイッチングに使用されている場合、通常、フライバックダイオードを負荷の両端に接続し、ダイオードのカソードを負荷の正側に接続する必要があります。
ただし、IRF540Nにはアバランシェ保護ダイオードが組み込まれているため、通常、デバイスに追加の安全性を提供したい場合に備えて、外部ダイオードを組み込む必要がない場合があります。
上記の説明の訂正は大歓迎です。
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