この投稿では、従来のかさばるSPDTメカニカルリレーの代わりに使用できる、単純な大電流MOSFETベースのSPDTDCリレーについて説明します。このアイデアはアブハフス氏から依頼されました。
作業コンセプト
上記のディガラムに示すように、単純な高電流SPDTソリッドステートDCリレーまたはDC SSRは、2つのMOSFETとオプトカプラーを使用して構築できます。
アイデアは自明に見えます。
外部トリガーがない場合、下部MOSFETはオフのままになり、上部MOSFETがMOSFETの正とゲートの間に接続された10k抵抗を介して導通できるようになります。
これにより、N / C接点がアクティブになり、電源の両端に接続されたDC負荷が正になり、この状況でN / Cがアクティブになります。その逆も同様です。
逆に、入力トリガーが存在する場合、オプトエミッターに接続されたMOSFETは、上部のMOSFETをオンにし、オフにする機会を取得します。
この状況では、正のポイントとN / Oポイントの間に接続された負荷がアクティブになり、その逆も同様です。
回路図
上記の設計は次のように構成できますが、実際にはこれは技術的に正しいように思われるため、推奨される設計です。
この設計は、3V〜30VDCのオプト入力スイッチング電圧に関係なく機能します。
SPDTリレーのDPDTバージョンへのアップグレード
上記のDCソリッドステートリレーのDPDTバージョンを作成することは、実際にはそれほど難しくありません。次の図に示すように、さらにいくつかのMOSFETを追加することでこれを行うことができます。
ここでは、極は正の線に接続された単一の極のように見えますが、2つの個別の負荷を操作し、DPDT SSR機能を実装するために、単純に分離して異なるDC電源と統合することができます。
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