EEEおよびECE工学研究は、以下を含むいくつかの工学科目で構成されています。 パワーエレクトロニクス 、電力システム、制御システム、電気機械、VLSI、 組み込みシステム 、 等々。パワーエレクトロニクスは、SCRなどのいくつかのパワーエレクトロニクスデバイスが トライアック 、 DIAC 、 MOSFET 、IGBT、コンバーター、モータードライバー、インバーター、DCドライバーなどは、点火角度制御、PWM制御などのさまざまな制御メカニズムを使用したさまざまな回路やプロジェクトの設計に使用されます。
SCR-サイリスタは、シリコン製の3端子制御整流器です（シリコンが通常使用されます）。したがって、次のようにも呼ばれます。 シリコン制御整流器 またはSCR。 SCRの動作は、発火角度制御と呼ばれる、ゲート端子にトリガーパルスを与える遅延を制御することによって制御できます。パワーエレクトロニクスでは、デュアルコンバーターなどのコンバーター、 サイクロコンバーター などはサイリスタを使用して設計されており、発射角度制御などの制御メカニズムを使用して制御できます。
トライアックは、逆平行方向に接続され、ゲート端子が1つしかない2つのサイリターとして定義できます。したがって、反対方向に接続された2つのサイリスタがあるため、トライアックは両方向に導通できます。つまり、ゲート端子にトリガーパルスを与えることによって印加される電圧の両極性に対して導通します。したがって、全波サイリスタとも呼ばれます。
AC制御回路では、 thyrsitorsをトリガーする トライアックは通常、DIACと呼ばれる双方向トリガーダイオードが使用されます。 2つのダイオードを逆平行方向に接続することで形成でき（一方のダイオードのカソードがもう一方のダイオードのカソードに接続されます）、ゲート端子のないトライアックのように見えます。 PNPトランジスタ ベース端子のない構造。
この記事では、パワーエレクトロニクスで使用されるデバイスと制御メカニズムに関する数人の技術専門家の意見を集めました。
Naresh、M.Tech（組み込みシステム）
研究開発、コンテンツライター
パワーエレクトロニクスデバイスは、電気エネルギーの制御と変換に使用されるリアルタイム産業で主要な役割を果たします。シリコン制御整流器（SCRS）、サイリスタは、電子機器、特に パワーコントロール 。これらのデバイスは、ハイパワーエレクトロニクスの柱とも呼ばれています。サイリスタは大量の電力を切り替えることができるため、さまざまなアプリケーションで使用されます。
サイリスタは、調光器から次のような多くの回路で使用される低電力電子機器にも使用されています。 電源 過電圧保護。 SCRまたはシリコン制御整流器という用語は、サイリスタの用語と同義語として使用されることがよくあります。SCRまたはシリコン制御整流器は、実際にはGeneralElectricによって使用される商品名です。パワーサポートは、パワーエレクトロニクスによって実装された顧客志向の戦略を説明するふりをする重要な概念です。
Sampath Kumar、M.Tech（VLSI）およびB.Tech（ECE）
テクニカルコンテンツライター
パワーエレクトロニクスはスイッチングを扱います 電子回路 エネルギーの流れを制御するために。ダイオード、ショットキーダイオード、パワーなどのパワーエレクトロニクスで使用されるさまざまなコンポーネントがあります バイポーラ接合トランジスタ 、MOSFET、サイリスタ、シリコン制御整流器（SCR）、ゲートターンオフサイリスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタゲート転流サイリスタ。
サイリスタ（パワーエレクトロニクス）では、点弧角は制御機構の一種であり、SCRがオンになる電圧の位相角です。 SCRを回転させる方法は2つあります。1つは電圧を印加する方法、またはSCRにブレークオーバー電圧より大きくなるまでゲート電流を印加する方法です。
Viswanath Prathap、M.Tech（EPE）＆B.Tech（EEE）
テクニカルコンテンツライター
パワーエレクトロニクスデバイス 非制御、半制御、完全制御のパワーエレクトロニクスデバイスなどの制御メカニズムに基づいて、さまざまなタイプに分類できます。一般に、ダイオードは、制御システムではダイオードの動作を制御できないため、制御されていないパワーエレクトロニクスデバイス（端子の電圧に基づいて導通する）と呼ばれます。ゲートパルスを印加することでサイリスタをトリガーまたはオンにできるため、サイリスタはハーフコントロールデバイスとして扱うことができますが、サイリスタをオフにする場合は 電源回路 または転流法を使用するなどによる制御メカニズム。 MOSFET、IGBTなどのパワーエレクトロニクスデバイスは、制御信号を使用してオンとオフを切り替えることができるため、完全制御デバイスと呼ばれます。
パワーエレクトロニクスデバイスは、電流駆動パワーエレクトロニクスデバイス（サイリスタ、ジャイアントトランジスタ、GTOなど）、電圧駆動パワーエレクトロニクスデバイス（MOSFET、IGBT、IGCT、SIT、MCTなど）など、さまざまなタイプにさらに分類できます。 ）、パルストリガーデバイス（サイリスタ）、レベルトリガーデバイス（MOSFET、IGBT、IGCT、SIT、MCTなど）、ユニポーラデバイス（ パワーMOSFET ）、バイポーラデバイス（IGBT、GTO、IGCT、MCT、GTR）、複合パワーエレクトロニクスデバイス（IGBT、MCT）。
