この記事で提供されている強力なDJMOSFETアンプ回路設計は、構築がかなり簡単で、4オームのスピーカーに250ワットの巨大な音楽を生成します。出力でHEXFETを使用すると、巨大な電流と電圧の増幅が保証されます。

この250ワットのMOSFETアンプ回路の出力段にMOSFETまたはむしろHEXFETを使用することで、電圧と電流の両方を高効率で増幅することができます。この回路は特に、低歪み、外部オフセット電圧、静止電流調整などの印象的な機能を備えています。

アンプ入力段

アンプ出力段

回路の機能

この卓越した250ワットのMOSFETアンプ回路は、コンサート、パーティー、オープングラウンドなどでDJアンプとして使用できます。対称的な設計により、歪みはごくわずかです。回路の詳細を分析してみましょう。

回路図を参照すると、入力段は主に2つの差動増幅器で構成されていることがわかります。ブロックT1とT2は、実際には1つのパッケージでペアになっているデュアルトランジスタと一致していますが、ディスクリートトランジスタを使用する場合もありますが、hFが適切に一致していることを確認してください。 NPNタイプとPNPタイプには、それぞれBC547とBC557をいくつか使用します。

差動構成は、おそらく2つの信号を統合するのに最適な方法です。たとえば、ここでは、入力信号とフィードバック信号が非常に効率的に混合されます。

通常、T1のコレクタ/エミッタ抵抗の比率がこの段階の増幅を決定します。
T1とT2のDC動作基準は、関連するLEDとともに2つのトランジスタT3とT4から受信されます。

“可変周波数ドライブはどのように機能しますか ”

上記のLED /トランジスタネットワークは、入力段に定電流源を提供するのにも役立ちます。これは、周囲の温度変化の影響をほとんど受けないためですが、LED /トランジスタのペアは、接着するか、少なくとも非常に近くにはんだ付けすることで接続する必要があります。 PCB上で互いに。

結合コンデンサC1の直後に、R2、R3、およびC2で構成されるネットワークが効果的なローパスフィルタを形成し、帯域幅を増幅器に適したレベルに維持するのに役立ちます。
1Mプリセットと2つの2M2抵抗を含む入力の別の小さなネットワークは、アンプの出力のDC成分がゼロ電位にとどまるようにオフセット電圧を調整するのに役立ちます。

差動ステージの後、T5とT7を含む中間ドライバーステージが導入されます。 T6、R9、およびR17で構成される構成は、回路の静止電流消費を設定するために使用される一種の可変電圧レギュレータを形成します。

上記のステージからのブーストされた信号は、T8とT9で構成されるドライバステージに送られます。これらは、HEXFET T10とT11を含む出力パワーステージを駆動するために効果的に使用され、信号は最終的に大規模な電流と電圧の増幅を受けます。

この図から、T10がpチャネルであり、T11がnチャネルFETであることが明確に識別できます。この構成により、この段階で電流と電圧の両方を効率的に増幅できます。ただし、R22 / R23およびR8 / C2のフィードバック配線により、全体的な増幅は3に制限されます。この制限により、出力での歪みが少なくなります。

バイポーラトランジスタとは異なり、ここではHEXFETを組み込んだ出力段には、古くからある対応部品に比べて明確な利点があります。正の温度係数デバイスであるHEXFET ケースの温度が高くなりすぎる傾向があるため、ドレインソースを制限するという固有の特性を備えており、熱暴走の状況からデバイスを保護し、焼失します。

抵抗R26と直列コンデンサは、より高い周波数でのスピーカーの立ち上がりインピーダンスを補償します。インダクタL1は、スピーカーを瞬間的な立ち上がりピーク信号から保護するために配置されています。